دانلود مقاله و خرید ترجمه:طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته ی مقاوم به تابش - 2013

محرم

کارابرن عزیز، مقالات isi بالاترین کیفیت ترجمه را دارند، ترجمه آنها کامل و دقیق می باشد (محتوای جداول و شکل های نیز ترجمه شده اند) و از بهترین مجلات isi انتخاب گردیده اند. همچنین تمامی ترجمه ها دارای ضمانت کیفیت بوده و در صورت عدم رضایت کاربر مبلغ عینا عودت داده خواهد شد.

پشتیبانی
اپلیکشن اندروید
آرشیو مقالات
ورود اعضا
توجه توجه توجه !!!!
تمامی مقالات ترجمه شده ، انگلیسی و کتاب های این سایت با دقت تمام انتخاب شده اند. در انتخاب مقالات و کتاب ها پارامترهای جدید بودن، پر جستجو بودن، درخواست کاربران ، تعداد صفحات و ... لحاظ گردیده است. سعی بر این بوده بهترین مقالات در هر زمینه انتخاب و در اختیار شما کاربران عزیز قرار گیرد. ضمانت ما، کیفیت ماست.
نرم افزار winrar

از نرم افزار winrar برای باز کردن فایل های فشرده استفاده می شود. برای دانلود آن بر روی لینک زیر کلیک کنید
دانلود

پیوندهای کاربردی
پیوندهای مرتبط
مقالات ترجمه شده برق الکترونیک ( Power Electronics )
  • Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته ی مقاوم به تابش

    سال انتشار:

    2013


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته ی مقاوم به تابش


    عنوان انگلیسی مقاله:

    Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit


    منبع:

    IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, VOL. 60, NO. 4, AUGUST 2013


    نویسنده:

    Min Su Lee and Hee Chul Lee


    چکیده انگلیسی:

    A dummy gate-assisted n-type metal oxide semiconductor field effect transistor (DGA n-MOSFET) layout was evaluated to demonstrate its effectiveness at mitigating radiation-induced leakage currents in a conventional n-MOSFET. In the proposed DGA n-MOSFET layout, radiation-induced leakage currents are settled by isolating both the source and drain from the sidewall oxides using a  layer and dummy gates. Moreover, the dummy gates and dummy Metal-1 layers are expected to suppress the charge trapping in the sidewall oxides. The inherent structure of the DGA n-MOSFET supplements the drawbacks of the enclosed layout transistor, which is also proposed in order to improve radiation tolerance characteristics. The   simulation results of the DGA n-MOSFET layout demonstrated the effectiveness of eliminating such radiation-induced leakage current paths. Furthermore, the radiation exposure experimental results obtained with the fabricated DGA n-MOSFET layout also exhibited good performance with regard to the total ionizing dose tolerance.
    Index Terms: Dummy gate-assisted n-MOSFET layout | layout modification | radiation hardening | radiation-induced leakage current | total ionizing dose.


    چکیده فارسی:

    یک طرح (DGA n-MOSFET) ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی نوع – n با کمک گیت ساختگی به منظور نشان دادن اثربخشی آن در کاهش جریان¬های نشتی ناشی از تابش در یک n-MOSFET معمولی ارزیابی می¬شود. در طرح DGA n-MOSFET ارائه شده، جریان¬های نشتی ناشی از تابش با مجزاسازی منبع و درین از اکسیدهای پوشه¬ای با استفاده از یک لایه p + و گیت¬های ساختگی حل و فصل می¬شوند. علاوه بر این، انتظار بر این است که گیت¬های ساختگی و لایه¬های فلز-1 ساختگی به دام انداختن بار در اکسیدهای پوشه¬ای را جبرانسازی کنند. ساختار ذاتی DGA n-MOSFET معایب ترانزیستور طرح محصور را تکمیل می¬کند، که به منظور بهبود مشخصات تحمل تابش ارائه شده است. نتایج شبیه¬سازی از طرح DGA n-MOSFET نشان¬دهنده¬ی اثربخشی حذف چنین مسیرهای جریان نشت ناشی از تابش است. علاوه بر این نتایج تجربی به دست آمده از قرار گرفتن در معرض تابش با طرح DGA n-MOSFET ساخته شده نیز نشان¬دهنده¬ی عملکرد خوب با توجه به تحمل دوز یونیزه کلی است.
    اصطلاحات شاخص: طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی | اصلاح طرح | سخت شدن تابش | جریان نشتی ناشی از تابش | دوز یونیزه کلی.


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 7
    تعداد صفحات فایل doc فارسی(با احتساب مراجع): 27

    وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    حجم فایل: 2577 کیلوبایت


    قیمت: 28000 تومان  25200 تومان(10% تخفیف)


    توضیحات اضافی:




اگر این مقاله را پسندیدید آن را در شبکه های اجتماعی به اشتراک بگذارید (برای به اشتراک گذاری بر روی ایکن های زیر کلیک کنید)

این مقاله را در فیس بوک به اشتراک بگذارید این مقاله را در توییتر به اشتراک بگذارید این مقاله را در لینکداین به اشتراک بگذارید این مقاله را در گوگل پلاس به اشتراک بگذارید این مقاله را در زینگ به اشتراک بگذارید این مقاله را در تلگرام به اشتراک بگذارید

تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
-برق-الکترونیک
موضوعات
footer