با سلام خدمت کاربران در صورتی که با خطای سیستم پرداخت بانکی مواجه شدید از طریق کارت به کارت (6037997535328901 بانک ملی ناصر خنجری ) مقاله خود را دریافت کنید (تا مشکل رفع گردد).
دسته بندی:
برق الکترونیک - Power Electronics
سال انتشار:
2015
ترجمه فارسی عنوان مقاله:
اکسید لایه نازک در منطقه رانش دو اکسید فلزي نیمه هادی قرار گرفته بر روی سیلیکون بر روی عايق: ساختار دستگاه جديد با ترانزیستورهاي برق با درجه حرارت بالا و قابل اطمينان
عنوان انگلیسی مقاله:
Thin layer oxide in the drift region of Laterally double-diffused metal oxide semiconductor on silicon-on-insulator: A novel device structure enabling reliable high-temperature power transistors
منبع:
Sciencedirect - Elsevier - Materials Science in Semiconductor Processing 30 (2015) 599–604
نویسنده:
Mahsa Mehrad
چکیده انگلیسی:
In this paper a new lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor
on silicon-on-insulator (SOI) technology is reported. In the proposed structure a trench
oxide in the drift region is reformed to reduce surface temperature. In the LDMOS devices
one way for achieving high breakdown voltage is incorporating the trench oxide in the
drift region. But, this strategy causes high lattice temperature in the device. So, the middle
of the trench oxide in the drift region is etched and filled with the silicon to have higher
thermal conductivity material and reduce the lattice temperature in the drift region. The
simulation with two-dimensional ATLAS simulator shows that the novel thin trench oxide
in the n-drift region of LDMOS transistor (TT-LDMOS) have lower maximum lattice
temperature with an acceptable breakdown voltage in respect to the conventional LDMOS
(C-LDMOS) structure with the trench oxide in the drift region. So, TT-LDMOS can be a
reliable device for power transistors.
Keywords: LDMOS | Maximum lattice temperature | Breakdown voltage | Mobility
چکیده فارسی:
در این مقاله یک ترانزیستور نیمه هادی اکسید فلزي نفوذ دوگانه افقي (LDMOS) جدید بر روی سیلیکون بر روی عایق (SOI) گزارش شده است. در ساختار پیشنهادی يك اکسید گودالي در منطقه رانش به منظور کاهش درجه حرارت سطح اصلاح شده است. در دستگاه های LDMOS یک راه برای رسیدن به ولتاژ شکست بالا، ترکیب اکسید گودالي در منطقه رانش است. اما، این استراتژی باعث دمای بالا در شبکه دستگاه می شود. بنابراین، وسط اکسید گودالي در منطقه رانش قلم زده مي شود و براي هدایت حرارتی بالاتر و کاهش دمای شبکه در منطقه رانش پر از سیلیکون مي شود.
شبیه سازی با شبیه ساز ATLAS دو بعدی نشان می دهد که اکسید گودالي نازک جديد در منطقه رانش N ترانزیستور LDMOS (TT-LDMOS) دارای حداکثر درجه حرارت پایین تر شبکه با ولتاژ شکست قابل قبول با توجه به LDMOS معمولی (C-LDMOS) است. بنابراین، TT-LDMOS می تواند یک دستگاه قابل اطمينان برای ترانزیستورهای برق باشد.
کلمات کلیدی: LDMOS | حداکثر درجه حرارت شبکه | ولتاژ شکست | تحرک
حجم فایل: 314 کیلوبایت
قیمت: 36000 تومان
توضیحات اضافی:
تعداد نظرات : 0