دانلود مقاله و خرید ترجمه:اکسید لایه نازک در منطقه رانش دو اکسید فلزي نیمه هادی قرار گرفته بر روی سیلیکون بر روی عايق: ساختار دستگاه جديد با ترانزیستورهاي برق با درجه حرارت بالا و قابل اطمينان - 2015
دانلود بهترین مقالات isi همراه با ترجمه فارسی 2

با سلام خدمت کاربران در صورتی که با خطای سیستم پرداخت بانکی مواجه شدید از طریق کارت به کارت (6037997535328901 بانک ملی ناصر خنجری ) مقاله خود را دریافت کنید (تا مشکل رفع گردد). 

مقالات ترجمه شده برق الکترونیک ( Power Electronics )
  • Thin layer oxide in the drift region of Laterally double-diffused metal oxide semiconductor on silicon-on-insulator: A novel device structure enabling reliable high-temperature power transistors اکسید لایه نازک در منطقه رانش دو اکسید فلزي نیمه هادی قرار گرفته بر روی سیلیکون بر روی عايق: ساختار دستگاه جديد با ترانزیستورهاي برق با درجه حرارت بالا و قابل اطمينان
    دانلود مقاله | مقاله انگلیسی رایگان | خرید ترجمه فارسی مقاله

    دسته بندی:

    برق الکترونیک - Power Electronics


    سال انتشار:

    2015


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    اکسید لایه نازک در منطقه رانش دو اکسید فلزي نیمه هادی قرار گرفته بر روی سیلیکون بر روی عايق: ساختار دستگاه جديد با ترانزیستورهاي برق با درجه حرارت بالا و قابل اطمينان


    عنوان انگلیسی مقاله:

    Thin layer oxide in the drift region of Laterally double-diffused metal oxide semiconductor on silicon-on-insulator: A novel device structure enabling reliable high-temperature power transistors


    منبع:

    Sciencedirect - Elsevier - Materials Science in Semiconductor Processing 30 (2015) 599–604


    نویسنده:

    Mahsa Mehrad


    چکیده انگلیسی:

    In this paper a new lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor on silicon-on-insulator (SOI) technology is reported. In the proposed structure a trench oxide in the drift region is reformed to reduce surface temperature. In the LDMOS devices one way for achieving high breakdown voltage is incorporating the trench oxide in the drift region. But, this strategy causes high lattice temperature in the device. So, the middle of the trench oxide in the drift region is etched and filled with the silicon to have higher thermal conductivity material and reduce the lattice temperature in the drift region. The simulation with two-dimensional ATLAS simulator shows that the novel thin trench oxide in the n-drift region of LDMOS transistor (TT-LDMOS) have lower maximum lattice temperature with an acceptable breakdown voltage in respect to the conventional LDMOS (C-LDMOS) structure with the trench oxide in the drift region. So, TT-LDMOS can be a reliable device for power transistors.
    Keywords: LDMOS | Maximum lattice temperature | Breakdown voltage | Mobility


    چکیده فارسی:

    در این مقاله یک ترانزیستور نیمه هادی اکسید فلزي نفوذ دوگانه افقي (LDMOS) جدید بر روی سیلیکون بر روی عایق (SOI) گزارش شده است. در ساختار پیشنهادی يك اکسید گودالي در منطقه رانش به منظور کاهش درجه حرارت سطح اصلاح شده است. در دستگاه های LDMOS یک راه برای رسیدن به ولتاژ شکست بالا، ترکیب اکسید گودالي در منطقه رانش است. اما، این استراتژی باعث دمای بالا در شبکه دستگاه می شود. بنابراین، وسط اکسید گودالي در منطقه رانش قلم زده مي شود و براي هدایت حرارتی بالاتر و کاهش دمای شبکه در منطقه رانش پر از سیلیکون مي شود. شبیه سازی با شبیه ساز ATLAS دو بعدی نشان می دهد که اکسید گودالي نازک جديد در منطقه رانش N ترانزیستور LDMOS (TT-LDMOS) دارای حداکثر درجه حرارت پایین تر شبکه با ولتاژ شکست قابل قبول با توجه به LDMOS معمولی (C-LDMOS) است. بنابراین، TT-LDMOS می تواند یک دستگاه قابل اطمينان برای ترانزیستورهای برق باشد.
    کلمات کلیدی: LDMOS | حداکثر درجه حرارت شبکه | ولتاژ شکست | تحرک


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 6
    تعداد صفحات فایل doc فارسی(با احتساب مراجع): 16

    وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    حجم فایل: 314 کیلوبایت


    قیمت: 36000 تومان   


    توضیحات اضافی:




اگر این مقاله را پسندیدید آن را در شبکه های اجتماعی به اشتراک بگذارید (برای به اشتراک گذاری بر روی ایکن های زیر کلیک کنید)

تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
rss مقالات ترجمه شده rss مقالات انگلیسی rss کتاب های انگلیسی rss مقالات آموزشی
logo-samandehi
بازدید امروز: 5175 :::::::: بازدید دیروز: 0 :::::::: بازدید کل: 5175 :::::::: افراد آنلاین: 66