دانلود مقاله کنفرانسی فارسی:تقویت کنندهCMOS گین بالا و نویز پایین برای گیرنده بی سیم مافوق باند پهن - 1395

دانلود بهترین مقالات isi همراه با ترجمه فارسی

کارابرن عزیز، مقالات isi بالاترین کیفیت ترجمه را دارند، ترجمه آنها کامل و دقیق می باشد (محتوای جداول و شکل های نیز ترجمه شده اند) و از بهترین مجلات isi انتخاب گردیده اند. همچنین تمامی ترجمه ها دارای ضمانت کیفیت بوده و در صورت عدم رضایت کاربر مبلغ عینا عودت داده خواهد شد.

پشتیبانی
اپلیکشن اندروید
آرشیو مقالات
ورود اعضا
توجه توجه توجه !!!!
تمامی مقالات ترجمه شده ، انگلیسی و کتاب های این سایت با دقت تمام انتخاب شده اند. در انتخاب مقالات و کتاب ها پارامترهای جدید بودن، پر جستجو بودن، درخواست کاربران ، تعداد صفحات و ... لحاظ گردیده است. سعی بر این بوده بهترین مقالات در هر زمینه انتخاب و در اختیار شما کاربران عزیز قرار گیرد. ضمانت ما، کیفیت ماست.
نرم افزار winrar

از نرم افزار winrar برای باز کردن فایل های فشرده استفاده می شود. برای دانلود آن بر روی لینک زیر کلیک کنید
دانلود

پیوندهای کاربردی
پیوندهای مرتبط
مقالات کنفرانسی فارسی برق الکترونیک
  • تقویت کنندهCMOS گین بالا و نویز پایین برای گیرنده بی سیم مافوق باند پهن

    سال انتشار:

    1395


    عنوان:

    تقویت کنندهCMOS گین بالا و نویز پایین برای گیرنده بی سیم مافوق باند پهن


    منبع:

    اولین کنفرانس بین المللی چشم انداز های نو در مهندسی برق و کامپیوتر


    نویسنده:

    محسن پویا ،هما دلشادی


    چکیده فارسی:

    یک تقویت کننده باند پهن 3-5GHZتک خروجی Low Noise Amplifier (LNA)یک هدف نظری بر اساس اخرین الگوریتم منظم در این مقاله ارایه شده است . طراحی شامل یک شبکه تطبیق امپدانس ورودی باند پهن که شامل یک تقویت کننده کاسکودبا LNAکه در به شکل مقایسه هم ارز شده و یک شبکه تطبیق امپدانس خروجی را نیز دارد.شبیه سازی با استاندارد0.18μm برای RF CMOSدر نظر گرفته شده است.برای شبکه تطبیق امپدانس طراحی برای حداقل شکل نویز (Noise Figure(NFمناسب و ماکزیمم قدرت گین در نظر گرفته شده است .مقادیر المان های مناسب برای شبکه تطبیق از روش کمترین مربع بدست اورده شده است .LNA.پیشنهاد شده یک گین در محدوده 19.9-18.9dbرا بیش از UWB(Ultra Wide Band)باند باریک3-5GHZ ارایه می دهد به علاوه شکل نویز در محدوده0.6-0.8db بدست اورده شده است .در طرفین ورودی هارمونیک سوم P1db و(IP3)به ترتیب 18dbmو10.5dbmمیباشد. روش پیشنهادی برای حداقل4db گین قدرت موثر در مقایسه با کارهای مشابه با شکل نویز ثابت می باشد .تغذیه DCحدود1.8v در نظر گرفته شده است
    کلمات کلیدی :تقویت کننده ،RF CMOSELNA ،شکل نویز ،UWBE،شبکه تطبیق


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf : 12
    حجم فایل: 655 کیلوبایت

    قیمت: 2500 تومان


    توضیحات اضافی:


    کاربر عزیز در صورتی که شما نویسنده این مقاله هستید و تمایل دارید مقاله شما از سایت حذف شود و یا به صورت رایگان در اختیار کاربران قرار گیرد از طریق بخش ارتباط با ما اطلاع دهید تا خواسته شما انجام شود


اگر این مقاله را پسندیدید آن را در شبکه های اجتماعی به اشتراک بگذارید (برای به اشتراک گذاری بر روی ایکن های زیر کلیک کنید)

این مقاله را در فیس بوک به اشتراک بگذارید این مقاله را در توییتر به اشتراک بگذارید این مقاله را در لینکداین به اشتراک بگذارید این مقاله را در گوگل پلاس به اشتراک بگذارید این مقاله را در زینگ به اشتراک بگذارید این مقاله را در تلگرام به اشتراک بگذارید

تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
-برق-الکترونیک
موضوعات
footer