دانلود مقاله کنفرانسی فارسی:بررسی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانو لوله های کربنی (CNFET)در مدارات فرکانس  بالا و مقایسه با انواع دیگر ترانزیستورها - 1395

بلافاصله پس از پرداخت دانلود کنید

کارابرن عزیز، مقالات isi بالاترین کیفیت ترجمه را دارند، ترجمه آنها کامل و دقیق می باشد (محتوای جداول و شکل های نیز ترجمه شده اند) و از بهترین مجلات isi انتخاب گردیده اند. همچنین تمامی ترجمه ها دارای ضمانت کیفیت بوده و در صورت عدم رضایت کاربر مبلغ عینا عودت داده خواهد شد.

پشتیبانی
اپلیکشن اندروید
آرشیو مقالات
ورود اعضا
توجه توجه توجه !!!!
تمامی مقالات ترجمه شده ، انگلیسی و کتاب های این سایت با دقت تمام انتخاب شده اند. در انتخاب مقالات و کتاب ها پارامترهای جدید بودن، پر جستجو بودن، درخواست کاربران ، تعداد صفحات و ... لحاظ گردیده است. سعی بر این بوده بهترین مقالات در هر زمینه انتخاب و در اختیار شما کاربران عزیز قرار گیرد. ضمانت ما، کیفیت ماست.
نرم افزار winrar

از نرم افزار winrar برای باز کردن فایل های فشرده استفاده می شود. برای دانلود آن بر روی لینک زیر کلیک کنید
دانلود

پیوندهای کاربردی
پیوندهای مرتبط
مقالات کنفرانسی فارسی برق الکترونیک
  • بررسی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانو لوله های کربنی (CNFET)در مدارات فرکانس بالا و مقایسه با انواع دیگر ترانزیستورها

    سال انتشار:

    1395


    عنوان:

    بررسی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانو لوله های کربنی (CNFET)در مدارات فرکانس بالا و مقایسه با انواع دیگر ترانزیستورها


    منبع:

    اولین کنفرانس بین المللی چشم انداز های نو در مهندسی برق و کامپیوتر


    نویسنده:

    احسان امین ، بهبد قلمکاری


    چکیده فارسی:

    با پیشرفت روز افزون تکنولوژی نیاز به مدارهایی با توانایی کردن در فرکانس های بالا بدون اضافه کردن محدودیت جدیدیاز قبیل نویز ،تلفات حجم و ... بشدت حس می شود با توجه به نظریه ی "گوردن مور"مبتنی بر اینکه هر 18ماه ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده پس باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشند که ضخامت اکسید درگاه ان ها به کمتر از یک نانومتر برسد.پس از انجام آزمایش های بسیار دانشمندان به این نتیجه رسیدند که نانو لوله های کربنی که اساس ساختار ان از کربن است می تواند جای ساختار قدیمی سیلیکونی را بگیرد .که از مزایای ان می توان به قدرت سوئیچینگ با فرکانس بالاتر برای کاربرد در مدارهای فرکانسبالا ،منحنی های ولتاژ به جریان ایده آل تر؛توزیع سرعت انتقال کربن و تحرک پذیری بهتر اشاره کرد .همچنین در مدارهای مجتمع به کار برده شده می تواندباعث ریان کشی کمتر شود که خود منجر به توان مصرفی پایینتر و نیز کاهش برخی نویز ها مانند shot noiseمی شود که در نتیجه بهبود کارایی قابل لمسی نسبت به ماسفت های سیلیسیمی خواهد داشت . در این مقاله ابتدا ساختار ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی از جهات مختلف مورد بررسی قرار می گیرد و سپس تئوری ایجاد جریان ومزیت های ان در بکار رفتن در مدارهای فرکانس بالا مورد ارزیابی قرار می گیرد در اخر نیز مقایسه ای بین ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی و ترانزیستورهای اثر میدان دیگر صورت می گیرد
    کلمات کلیدی:مدارهای فرکانس بالا ،نانو لوله های کربنی ،ترانزیستورUTSOI، MOSFET bulk ،CNFET MOSFET


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf : 8
    حجم فایل: 1010 کیلوبایت

    قیمت: 2500 تومان


    توضیحات اضافی:


    کاربر عزیز در صورتی که شما نویسنده این مقاله هستید و تمایل دارید مقاله شما از سایت حذف شود و یا به صورت رایگان در اختیار کاربران قرار گیرد از طریق بخش ارتباط با ما اطلاع دهید تا خواسته شما انجام شود


اگر این مقاله را پسندیدید آن را در شبکه های اجتماعی به اشتراک بگذارید (برای به اشتراک گذاری بر روی ایکن های زیر کلیک کنید)

این مقاله را در فیس بوک به اشتراک بگذارید این مقاله را در توییتر به اشتراک بگذارید این مقاله را در لینکداین به اشتراک بگذارید این مقاله را در گوگل پلاس به اشتراک بگذارید این مقاله را در زینگ به اشتراک بگذارید این مقاله را در تلگرام به اشتراک بگذارید

تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
-برق-الکترونیک
موضوعات
footer