دانلود مقاله و خرید ترجمه:مدلسازی برای شبیه سازی مدار در ترانزیستور های اثر میدانی به صورت نانولوله های کربنی و نانوربان های گرافنی - 2015
اربعین
مقالات ترجمه شده برق الکترونیک ( Power Electronics )
  • On Device Modeling for Circuit Simulation With Application to Carbon-Nanotube and Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors مدلسازی برای شبیه سازی مدار در ترانزیستور های اثر میدانی به صورت نانولوله های کربنی و نانوربان های گرافنی

    سال انتشار:

    2015


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    مدلسازی برای شبیه سازی مدار در ترانزیستور های اثر میدانی به صورت نانولوله های کربنی و نانوربان های گرافنی


    عنوان انگلیسی مقاله:

    On Device Modeling for Circuit Simulation With Application to Carbon-Nanotube and Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors


    منبع:

    IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, VOL: 34, NO: 3, MARCH 2015


    نویسنده:

    Ibrahim N: Hajj, Fellow


    چکیده انگلیسی:

    This paper presents a method for deriving circuit model stamp equations from the characteristic equations of multiterminal devices. The method is applied to the derivation of stamp equations of carbon nanotube and graphene nano-ribbon field-effect transistors (FETs) for use in general-purpose circuit simulators. We first review existing methods of modeling FETs for circuit simulation and point out some of the weaknesses in these models. We then explain how to derive model equation stamps directly from the device physical characteristic equations without the need of eliminating internal device variables and without having to construct equivalent circuits consisting of interconnections of two-terminal resistors, controlled sources, and two-terminal capacitors.
    Index Terms: Carbon-nanotube FETs | circuit equation stamps | circuit models | circuit simulation | extended nodal analysis | graphene nano-ribbon FETs | MOSFETs | surface potential.


    چکیده فارسی:

    در اين مقاله روشي براي تعيين معادلات مدل مدار از معادلات ويژه دستگاه هاي چند سري ارائه شده است. این روش برای به دست آوردن معادلات تمبر از نانولوله های کربنی و ترانزیستورهای اثر میدان گرافنی گرافن (FET ها) برای استفاده در شبیه سازهای مدار عمومی استفاده می شود. ما ابتدا روش های موجود مدلسازی فیزیکی را برای شبیه سازی مدار بررسی کرده و برخی از نقاط ضعف در این مدل ها را ذکر می کنیم. سپس توضیح می دهیم که چگونه معادلات مدل را بدون نیاز به حذف متغیرهای داخلی دستگاه و بدون نیاز به ساخت مدار معادل متشکل از اتصالات مقاومت دو ترمینال، منابع کنترل شده و خازن های دو ترمینال مستقیما از معادلات مشخصه فیزیکی دستگاه بیرون می آوریم .
    کلمات کلیدی: FET های نانولوله کربن | تمبر معادله مدار | مدل های مدار | شبیه سازی مدار | تجزیه وتحلیل گره | گرافن FET های نانو روبان | MOSFETs | پتانسیل سطح


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 5
    تعداد صفحات فایل doc فارسی(با احتساب مراجع): 16

    وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    حجم فایل: 291 کیلوبایت


    قیمت: 18000 تومان  14400 تومان(20% تخفیف)


    توضیحات اضافی:




اگر این مقاله را پسندیدید آن را در شبکه های اجتماعی به اشتراک بگذارید (برای به اشتراک گذاری بر روی ایکن های زیر کلیک کنید)

تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
rss مقالات ترجمه شده rss مقالات انگلیسی rss کتاب های انگلیسی rss مقالات آموزشی