دانلود مقاله و خرید ترجمه:شمارش تعداد حامل های نانوروبان گرافنی دولایه در حالت زوال - 2011
تولد حضرت محمد
مقالات ترجمه شده شیمی ( chemistry )
  • BILAYER GRAPHENE NANORIBBON CARRIER STATISTICS IN THE DEGENERATE REGIME شمارش تعداد حامل های نانوروبان گرافنی دولایه در حالت زوال

    سال انتشار:

    2011


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    شمارش تعداد حامل های نانوروبان گرافنی دولایه در حالت زوال


    عنوان انگلیسی مقاله:

    BILAYER GRAPHENE NANORIBBON CARRIER STATISTICS IN THE DEGENERATE REGIME


    منبع:

    AIP Conference Proceedings 1337, 180 (2011)


    نویسنده:

    10


    چکیده انگلیسی:

    In this paper we discuss the energy band structure of bilayer graphene nanoribbons (BGNRs) near the Fermi level between zero and 3kBT away from the conduction and valence bands. BGNRs can be used as the channel in field effect transistors (FETs). A FET can be created using graphene bilayers with the gate voltage perpendicular to the layers. We focus on carrier statistics in the degenerate regime and the density of states, and consider them to be fundamental properties of BGNRs. The model presented indicates that the normalized Fermi energy in the degenerate regime strongly depends on carrier concentration and is independent of temperature.
    Key words: Graphene nanoribbon | bilayer | carrier statistics | degenerate regime | field effect transistor.


    چکیده فارسی:

    ما در این مقاله، ساختار باند انرژی نانوروبان های گرافنی دولایه (BGNR) نزدیک به سطح فرمی با فاصله ی بین صفر تا 〖3k〗_B T از باندهای هدایت و ظرفیت را بررسی می کنیم. BGNR ها را می توان به عنوان کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) مورد استفاده قرار داد. FET را می توان با استفاده از دولایه های گرافنی با ولتاژ گیت عمود بر لایه ها ایجاد نمود. ما بر شمارش تعداد حامل ها در حالت زوال و چگالی حالات تمرکز نموده، و آنها را به عنوان ویژگی های اساسی BGNR ها در نظر می گیریم. مدل ارائه شده بیانگر این است که انرژی فرمی نرمالیزه در حالت زوال شدیداً به غلظت حامل ها وابسته بوده و مستقل از دما است.
    کلیدواژه ها: نانوروبان گرافنی | دو لایه | شمارش تعداد حامل ها | حالت زوال | ترانزیستور اثر میدانی.


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 4
    تعداد صفحات فایل doc فارسی(با احتساب مراجع): 9

    وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    حجم فایل: 291 کیلوبایت


    قیمت: 10000 تومان    8000 تومان (20 % تخفیف)


    توضیحات اضافی:




اگر این مقاله را پسندیدید آن را در شبکه های اجتماعی به اشتراک بگذارید (برای به اشتراک گذاری بر روی ایکن های زیر کلیک کنید)

تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
rss مقالات ترجمه شده rss مقالات انگلیسی rss کتاب های انگلیسی rss مقالات آموزشی
logo-samandehi