دسته بندی:

شیمی - chemistry

---

سال انتشار:

2011

---

ترجمه فارسی عنوان مقاله:

شمارش تعداد حامل های نانوروبان گرافنی دولایه در حالت زوال

---

عنوان انگلیسی مقاله:

BILAYER GRAPHENE NANORIBBON CARRIER STATISTICS IN THE DEGENERATE REGIME

---

منبع:

AIP Conference Proceedings 1337, 180 (2011)

---

نویسنده:

10

---

چکیده انگلیسی:

In this paper we discuss the energy band structure of bilayer graphene nanoribbons (BGNRs) near the Fermi level between zero and 3kBT away from the conduction and valence bands. BGNRs can be used as the channel in field effect transistors (FETs). A FET can be created using graphene bilayers with the gate voltage perpendicular to the layers. We focus on carrier statistics in the degenerate regime and the density of states, and consider them to be fundamental properties of BGNRs. The model presented indicates that the normalized Fermi energy in the degenerate regime strongly depends on carrier concentration and is independent of temperature.
Key words: Graphene nanoribbon | bilayer | carrier statistics | degenerate regime | field effect transistor.

---

چکیده فارسی:

ما در این مقاله، ساختار باند انرژی نانوروبان های گرافنی دولایه (BGNR) نزدیک به سطح فرمی با فاصله ی بین صفر تا 〖3k〗_B T از باندهای هدایت و ظرفیت را بررسی می کنیم. BGNR ها را می توان به عنوان کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) مورد استفاده قرار داد. FET را می توان با استفاده از دولایه های گرافنی با ولتاژ گیت عمود بر لایه ها ایجاد نمود. ما بر شمارش تعداد حامل ها در حالت زوال و چگالی حالات تمرکز نموده، و آنها را به عنوان ویژگی های اساسی BGNR ها در نظر می گیریم. مدل ارائه شده بیانگر این است که انرژی فرمی نرمالیزه در حالت زوال شدیداً به غلظت حامل ها وابسته بوده و مستقل از دما است.
کلیدواژه ها: نانوروبان گرافنی | دو لایه | شمارش تعداد حامل ها | حالت زوال | ترانزیستور اثر میدانی.

---

---

---

---

حجم فایل: 291 کیلوبایت

---

قیمت: 18000 تومان   

---

توضیحات اضافی:

---

---

---