دانلود مقاله انگلیسی رایگان:خصوصیات الکتریکی خازن های اکسید هافنیوم انعطاف پذیر بر روی بستر پلیمری نرم کننده تغییر شکل پذیر - 2021
بلافاصله پس از پرداخت دانلود کنید
دانلود مقاله انگلیسی برق الکترونیک رایگان
  • Electrical characterization of flexible hafnium oxide capacitors on deformable softening polymer substrate Electrical characterization of flexible hafnium oxide capacitors on deformable softening polymer substrate
    Electrical characterization of flexible hafnium oxide capacitors on deformable softening polymer substrate

    سال انتشار:

    2021


    عنوان انگلیسی مقاله:

    Electrical characterization of flexible hafnium oxide capacitors on deformable softening polymer substrate


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    خصوصیات الکتریکی خازن های اکسید هافنیوم انعطاف پذیر بر روی بستر پلیمری نرم کننده تغییر شکل پذیر


    منبع:

    ScienceDirect- Elsevier- Microelectronic Engineering, 249 (2021) 111618: doi:10:1016/j:mee:2021:111618


    نویسنده:

    Ovidio Rodriguez-Lopez


    چکیده انگلیسی:

    In this work, we investigate the electrical performance and compatibility of low-temperature hafnium oxide (HfO2) thin-film capacitors on a novel softening polymer substrate. Metal-insulator-metal HfO2 capacitors were fabricated using HfO2 as the dielectric material, deposited at 100 ◦C by atomic layer deposition (ALD), and gold as the top and bottom contacts. The HfO2 capacitors were fabricated on silicon and on softening polymer substrates with a dielectric thickness of 50, 40, 30, and 20 nm. The electrical performance of the MIM capacitors was measured and compared to determine the quality and compatibility of the low-temperature HfO2 deposition with the silicon and polymer substrate. The dielectric constant varied from 12 to 17 as the HfO2 thickness increased from 20 to 50 nm. Moreover, the capacitance density and dielectric constant of the capacitors on the polymer substrate differed by 3.9% ± 2% and 3.4% ± 2% with respect to the silicon substrate. The polymer substrate devices also have a higher leakage current, which suggests a higher number of defects in the dielectric film relative to Si substrates. Finally, the devices on the polymer substrate were subjected to bending cycles (up to 105 cycles) with a 5 mm bending radius to evaluate the resilience of the HfO2 capacitors against mechanical stress. The results show that the fabrication of the HfO2 thin-film capacitors on the softening polymer substrate is achievable with high stability and mechanical resilience. Overall, this research could assist the production of flexible biomedical devices on softening polymer substrates.
    Keywords: Hafnium oxide | Thin-film capacitors | Flexible electronics | Softening polymers


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 6
    حجم فایل: 2528 کیلوبایت

    قیمت: رایگان


    توضیحات اضافی:




اگر این مقاله را پسندیدید آن را در شبکه های اجتماعی به اشتراک بگذارید (برای به اشتراک گذاری بر روی ایکن های زیر کلیک کنید)

تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
rss مقالات ترجمه شده rss مقالات انگلیسی rss کتاب های انگلیسی rss مقالات آموزشی
logo-samandehi