دانلود مقاله انگلیسی رایگان:تنظیم خواص نوری و الکتریکی لایه های نازک آلیاژ TixSn1-xO2 با انتقال دوقطبی ممنوع از طریق شکاف باند و مهندسی نقص - 2021
دانلود بهترین مقالات isi همراه با ترجمه فارسی 2
دانلود مقاله انگلیسی برق الکترونیک رایگان
  • Tuning optical and electrical properties of TixSn1−xO2 alloy thin films with dipole-forbidden transition via band gap and defect engineering Tuning optical and electrical properties of TixSn1−xO2 alloy thin films with dipole-forbidden transition via band gap and defect engineering
    Tuning optical and electrical properties of TixSn1−xO2 alloy thin films with dipole-forbidden transition via band gap and defect engineering

    سال انتشار:

    2021


    عنوان انگلیسی مقاله:

    Tuning optical and electrical properties of TixSn1−xO2 alloy thin films with dipole-forbidden transition via band gap and defect engineering


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    تنظیم خواص نوری و الکتریکی لایه های نازک آلیاژ TixSn1-xO2 با انتقال دوقطبی ممنوع از طریق شکاف باند و مهندسی نقص


    منبع:

    ScienceDirect- Elsevier- Journal of Alloys and Compounds, 885 (2021) 160974: doi:10:1016/j:jallcom:2021:160974


    نویسنده:

    Xu Han


    چکیده انگلیسی:

    We investigated the optical, electrical properties and electronic band structures of band gap tunable TixSn1−xO2 alloy with dipole-forbidden transition. TixSn1−xO2 alloy thin films with various Ti concentrations (0 ≤ x ≤ 0.36) were fabricated on quartz substrate by sol-gel method. As Ti is alloyed into SnO2, the narrowing of optical band gap of TixSn1−xO2 alloy was observed in the optical absorption spectra and was supported by first-principles calculations, which differs from the widening of fundamental band gap. Hall effect measurements indicate that the electrical resistivity of the TixSn1−xO2 alloy thin films increases with the increase of Ti concentration. Comparing with the pure SnO2, the TixSn1−xO2 alloy thin films exhibit a strong deep-level emission associated to oxygen vacancy (VO) defects in the photoluminescence spectra. First-principles calculation results suggest that the formation energy of TiSn-VO complex defect in a TixSn1−xO2 alloy is lower than that of the single VO in a perfect SnO2 under both oxygen-rich and oxygenpoor conditions. Especially, under the oxygen-poor limit, the TiSn-VO complex defect has the lowest formation energy among several major point defects of SnO2. Our results suggest that the band gap engineering of TixSn1−xO2 can not only control the band gap, but also modulate the defects, thus tuning the electrical and optical properties, which is of great significance for the understanding of the nature of electronic band structure of TixSn1−xO2 alloys.
    Keywords: Tin dioxide | Thin film | Dipole-forbidden transition | Band gap engineering | First-principle calculation


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 9
    حجم فایل: 5354 کیلوبایت

    قیمت: رایگان


    توضیحات اضافی:




اگر این مقاله را پسندیدید آن را در شبکه های اجتماعی به اشتراک بگذارید (برای به اشتراک گذاری بر روی ایکن های زیر کلیک کنید)

تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
rss مقالات ترجمه شده rss مقالات انگلیسی rss کتاب های انگلیسی rss مقالات آموزشی
logo-samandehi