دانلود مقاله انگلیسی رایگان:خواص نوری و الکتریکی وابسته به تعداد لایه WS2 ناهمسانگرد دوبعدی رشد CVD - 2021
بلافاصله پس از پرداخت دانلود کنید

وایرا اکسپنچ

دانلود مقاله انگلیسی برق الکترونیک رایگان
  • Layer number dependent optical and electrical properties of CVD grown two-dimensional anisotropic WS2 Layer number dependent optical and electrical properties of CVD grown two-dimensional anisotropic WS2
    Layer number dependent optical and electrical properties of CVD grown two-dimensional anisotropic WS2

    سال انتشار:

    2021


    عنوان انگلیسی مقاله:

    Layer number dependent optical and electrical properties of CVD grown two-dimensional anisotropic WS2


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    خواص نوری و الکتریکی وابسته به تعداد لایه WS2 ناهمسانگرد دوبعدی رشد CVD


    منبع:

    ScienceDirect- Elsevier- Surfaces and Interfaces, 26 (2021) 101308: doi:10:1016/j:surfin:2021:101308


    نویسنده:

    Deepa Thakur


    چکیده انگلیسی:

    Engineering 2D transition metal dichalcogenides with precise control over layer number enable tuning of exciting optical and electrical properties at the nanoscale level. We report controlled one-step chemical vapour deposition growth of WS2 monolayer, bilayer, and trilayer for large scale manufacturing and demonstrate layer dependent changes in their work function, photoluminescence, and electrical conductivity. Raman, photoluminescence, and fluorescence imaging revealed that the base WS2 monolayer contains alternating triangular domains with different emission properties. It is observed that bilayer and trilayer grow selectively on less luminescent facet leading to fan-like morphology for second and third layers. We have systematically demonstrated that desired growth and areal coverage of bilayer and trilayer can be achieved by controlling WO3 precursor content. Kelvin probe force microscopic studies suggest a higher work function of thicker layers as compared to the monolayer. It was found that work function increases by 0.04 eV when thickness increases from monolayer to bilayer. FET device measurement on mono and bilayer shows n-type characteristics and two-fold higher photo-current in monolayer in comparison to the bilayer. The studied thickness dependence of the work function of WS2 is vital to the fabrication of metal contacts for WS2 based electronic and optoelectronic devices.
    Keywords: CVD growth | 2D materials | PL segmentation | Optoelectronics | Transition metal dichalcogenides | KPFM


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 8
    حجم فایل: 7629 کیلوبایت

    قیمت: رایگان


    توضیحات اضافی:




اگر این مقاله را پسندیدید آن را در شبکه های اجتماعی به اشتراک بگذارید (برای به اشتراک گذاری بر روی ایکن های زیر کلیک کنید)

تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
rss مقالات ترجمه شده rss مقالات انگلیسی rss کتاب های انگلیسی rss مقالات آموزشی
logo-samandehi