دانلود و نمایش مقالات مرتبط با CMOS::صفحه 1

دانلود بهترین مقالات isi همراه با ترجمه فارسی

کارابرن عزیز، مقالات isi بالاترین کیفیت ترجمه را دارند، ترجمه آنها کامل و دقیق می باشد (محتوای جداول و شکل های نیز ترجمه شده اند) و از بهترین مجلات isi انتخاب گردیده اند. همچنین تمامی ترجمه ها دارای ضمانت کیفیت بوده و در صورت عدم رضایت کاربر مبلغ عینا عودت داده خواهد شد.

پشتیبانی
اپلیکشن اندروید
آرشیو مقالات
ورود اعضا
توجه توجه توجه !!!!
تمامی مقالات ترجمه شده ، انگلیسی و کتاب های این سایت با دقت تمام انتخاب شده اند. در انتخاب مقالات و کتاب ها پارامترهای جدید بودن، پر جستجو بودن، درخواست کاربران ، تعداد صفحات و ... لحاظ گردیده است. سعی بر این بوده بهترین مقالات در هر زمینه انتخاب و در اختیار شما کاربران عزیز قرار گیرد. ضمانت ما، کیفیت ماست.
نرم افزار winrar

از نرم افزار winrar برای باز کردن فایل های فشرده استفاده می شود. برای دانلود آن بر روی لینک زیر کلیک کنید
دانلود

پیوندهای کاربردی
پیوندهای مرتبط
نتیجه جستجو - CMOS

تعداد مقالات یافته شده: 17
ردیف عنوان نوع
1 Low power CMOS power amplifier design for RFID and the Internet of Things
طراحی تقویت کننده CMOS کم قدرت برای RFID و اینترنت اشیاء-2015
Designing power amplifiers with low power consumption, high efficiency and integration is an important topic with significant impact on communication and circuit research areas. In order to make transceivers more powerful with lower cost and higher integration, a CMOS power amplifier working from 3.5 GHz to 4.5 GHz is proposed. Cascode driver stage is adopted to give the power amplifier high output gain ability. The output stage is designed as Class A, which makes the proposed power amplifier in a significantly high linearity level. Furthermore, this paper gives a comparative study of the performance of different power amplifier classes. Simulation results show that the proposed power amplifier has 31.2% more power added efficiency (PAE) and 12.6 dB output power gain, respectively. The proposed power amplifier has high linearity and efficiency, which are suitable for Radio Frequency Identification (RFID) and Internet of Things (IoT) applications.© 2015 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Keywords: CMOS | Power amplifier | Transceiver | Wireless communication
مقاله انگلیسی
2 رویکردی نوین برای کاهش توان نشتی در فناوری های ژرف زیرمیکرون (Deep Submicron) در مدارهای CMOS VLSI
سال انتشار: 2015 - تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 6 - تعداد صفحات فایل doc فارسی: 18
جریان¬های نشتی به دلیل یکپارچه¬سازی سریع صنایع نیمه¬هادی با کاستن از اندازه¬ی ترانزیستورها، یکی از دغدغه¬های اصلی در فناوری ژرف زیرمیکرون (DSM) هستند. پارامترهای بسیاری همچون ولتاژ آستانه، ضخامت اکسید، طول کانال و ولتاژ تغذیه (Vdd) با کوچک¬شدن فناوری، مقادیر کمتری یافته¬اند تا مصرف توان همچنان تحت کنترل باشد. در نتیجه، ولتاژ آستانه¬ی ترانزیستور (Vth) نیز کوچک شده است تا ظرفیت جریان درایو حفظ شده و در هنگام کاهش گره فناوری به بهبود عملکرد دست یابیم. با اینحال کاهش ولتاژ آستانه موجب افزایش جریان زیر آستانه به صورت نمایی شده است. در این مقاله، تحلیل برخی تکنیک¬های کاهش نشتی و مقایسه¬ی آنها با تکنیک پیشنهادی برای کاستن از توان نشتی، با ترکیب نمودن حالات خواب و گالئور (Galeor) ارائه شده است، این ترکیب نمودن موجب کاهش مصرف متوسط توان برای ولتاژ آستانه-ی زیاد و کم به ترتیب در گیت Nand پایه به مقادیر 36.47% و 49.0%، در پشته¬ی اجباری به مقادیر 62.90% و 70.18%، در ترانزیستور Sleep با ولتاژ آستانه¬ی کم به مقادیر 33.30% و 46.39%، در ترانزیستور Sleep با ولتاژ آستانه¬ی زیاد به مقادیر 47.66% و 57.93%، در نگه¬دارنده¬ی مُد خواب به مقادیر 58.92% و 66.98% می¬شود.
کلمات کلیدی: جریان نشتی زیر آستانه | پشته سازی ترانزیستور | مصرف توان | CMOS | ژرف زیرمیکرون
مقاله ترجمه شده
3 Multilayer RTD-memristor-based cellular neural networks for color image processing
شبکه های عصبی چند لایه سلولی بر اساس RTD-ممریستور برای پردازش تصویر رنگی-2015
Multilayer cellular neural networks (CNNs) with multiple state variables in each cell associated with multiple dynamic rules are believed to possess more powerful data computing and signal processing capabilities than single-layer CNNs and are specially suitable for solving complex problems. However, at present, their large scale integrated hardware implementation is still quite challenging based on traditional CMOS-based technology due to high circuity complexity and their applications are thus limited in practice. In this paper, a novel compact multilayer CNN model based on nanometer scale resonant tunneling diodes (RTDs) and memristors is presented. More specifically, in this model, one multilayer CNN cell consists of several sub-cells located in different layers. The resonant tunneling diode with quantum tunneling induced nonlinearity and uniquely folded current–voltage characteristics is used to implement the compact and high-speed cell via replacing the original linear resistor and removing the output function of conventional CNN cells. Furthermore, the interactions between these cells are determined by a pair of multi-dimensional cloning templates. And a compact synaptic circuit based on memristors is designed to realize the cloning template parameter (weight strength) and the multiplication (weighting) operation, by leveraging its nonvolatility, good scalability, and variable conductance. The combination of these desirable elements equips the proposed multilayer CNN with advantages of powerful processing capability as well as high compactness, versatility, and possibility of very large scale integration (VLSI) circuit implementations. Finally, the performance of the proposed multilayer CNN is validated byfive illustrative examples in color image processing with each layer dealing with each primary color (red, green or blue) plane. Keywords: Multiplayer cellular neural networks | Resonant tunneling diodes (RTDs) | Memristor | Stability | Color image processing
مقاله انگلیسی
4 مدل سازی نیرو و مشخصه یابی گیت های منطقی بر پایه گرافین
سال انتشار: 2015 - تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 4 - تعداد صفحات فایل doc فارسی: 16
مقاله ترجمه شده
5 مبدل دیجیتال به آنالوگ جریان هدایتی تقسیم شده 8 بیتی متحد
سال انتشار: 2015 - تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 12 - تعداد صفحات فایل doc فارسی: 33
در این مقاله، یک مبدل دیجیتال به آنالوگ (DAC) جریان هدایتی تقسیم شده ی 8 بیتی متحد ارائه می-شود که در آن قطعات دیجیتال و آنالوگ با استفاده از دودویی حالت جریان برای رمزگشای حرارت سنج متحد می شوند، در نتیجه منطقه تراشه کوچک تر و منحنی طرح ساده می شود. علاوه براین، مدارهای درایور و چفت که بلوک های اصلی از DACهلی جریان هدایتی هستند در این طراحی حذف می شوند. پس، تعداد ترانزیستورها در قطعه دیجیتال DAC کاهش می یابد و نسبت نمونه برداری بیشتر به دست می آید. علاوه براین، رمزگشای حالت جریان ارائه شده انحراف کمتری از ولتاژ خروجی دارد و در نتیجه پراکندگی قدرت دینامیکی کمتر می باشد. در نهایت، DAC ارائه شده در فن آوری CMOS 0.18μm با ولتاژ تغذیه 1.8 V شبیه سازی می شود. نتایج شبیه سازی پس از طرح نشان می دهد که خطاهای غیرخطی بودن افتراقی و غیرخطی بودن صحیح به ترتیب، 0.034 و 0.024 LSB است. علاوه براین، محدوده دینامیکی جعلی آزاد 51 dB بیش از پهنای باند خروجی 94 MHz در 500 MS/s است. علاوه بر این، پراکندگی کلی قدرت از DAC طراحی شده تنها 5.7 mW و منطقه اکتیو کوچک برابر با 0.02mm2 است.
کلمات کلیدی: DAC جریان هدایتی تقسیم شده | رمزگشای BT حالت جریان | منطقه تراشه کوچک | پراکندگی پائین قدرت دینامیکی | انحراف پائین ولتاژ خروجی دیجیتال.
مقاله ترجمه شده
6 شبکه های بی سیم متصل به بدن و کاربردهای مراقبت بهداشتی آن
سال انتشار: 2013 - تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 3 - تعداد صفحات فایل doc فارسی: 7
به تازگی با تغيير الگو در ظهور U-healthcare ، شبکه های بی سیم متصل به بدن (WBAN) پديد آمده است. در اين مقاله، نماي کلي تکنولوژي WBAN را بازبینی کرده و سه نوع لايه ی فيزيکي آن(PHYs) را خلاصه مي كنيم. در ميان سه PHY، ارتباط بدن انسان (HBC) را بیان می کنیم که از بدن انسان به عنوان يک کانال ارتباطي براي انتقال سيگنال الکتريکي استفاده مي كند. از طريق درک روشني ازکانال بدن با مدل T-shaped و تحليل نظري کانال ، 6 دستگاه گیرنده فرستنده ی HBC اجرا شده با تکنولوژي CMOSارائه می کنیم که شامل اولين دستگاه فرستنده_ گيرنده ی WBAN است که تمامی مشخصات استاندارد IEEE 802.15.6 را برآورده می سازد. از طريق فرستنده و گيرنده ی اجرا شده، به ترتیب Mp3 player، و سيستم پچ هاي هوشمند براي سرگرمي، و برنامه مراقبت هاي بهداشتي را با موفقيت به نمایش گذاشته ایم.
کلمات کلیدی: شبکه های بی سیم متصل به بدن | ارتباط بدن انسان
مقاله ترجمه شده
7 سیستم های شبکه بی سیم متصل به بدن با انرژی کم
سال انتشار: 2013 - تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 2 - تعداد صفحات فایل doc فارسی: 5
به عنوان یک تکنولوژی کلیدی برای گسترش ارتباطات کوتاه برد در اطراف بدن انسان، شبکه بی سیم متصل به بدن (WBAN) اخیرا با ترکیب برنامه های پزشکی، شیوه زندگی، و برنامه های سرگرمی به وجود آمده است. در این مقاله،ما به بررسی تکنولوژی WBAN پرداخته و خلاصه ی از وضعیت استاندارد آن را که متشکل از لایه کنترل دسترسی به رسانه مشترک (MAC) و سه نوع لایه فیزیکی است(PHYs)؛ ارائه خواهیم کرد. در بین سه PHYs ، ما PHY مربوط به ارتباط مقرون به صرفه کانال بدن (BCC) را معرفی خواهیم نمود. این PHY با مدل سازی مدار معادل از طریق مدار های توزیع یافتهRCوتجزیه و تحلیل نظری کانال با حل معادلات ماکسول(Maxwell’s) از بدن انسان به عنوان یک کانال ارتباطی استفاده میکند.با درک کامل بدنه کانال، 6گیرنده و فرستنده BCC مجهز به تکنولوژی CMOS را معرفی می کنیم. اولین فرستنده و گیرنده WBANبا رضایت مند بودن تمامی ویژگی های استاندارد IEEE802.15.6 را دارا میباشد.در نهایت، MP3 player و اثبات مراقبت از سلامت با کمک فرستنده و گیرندهBCC به منظور بررسی بهره وری انرژی و امکان سنجی سیستم شبکه بی سیم متصل به بدن با انرژی کم نشان داده شده است.
کلمات کلیدی: شبکه بدن | شبکه متصل به بدن | ارتباطات بدن انسان | انرژی کم | شبکه بی سیم متصل به بدن
مقاله ترجمه شده
8 یکپارچگی کامل قدرت تقویت کننده ی رده ی E از CMOS به منظور برنامه ریزی مجدد ناقل های برنامه های WCDMA/WiMAX
سال انتشار: 2013 - تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 4 - تعداد صفحات فایل doc فارسی: 11
این مقاله در مورد باند دوگانه ی تقویت کننده ی قدرت CMOS با استفاده از توپولوژی رده ی E برای دسترسی چندگانه ی به تقسیمات باند پهن (WCDMA) در 1.9 گیگاهرتز و ارتباطات متقابل جهانی برای دسترسی های به برنامه های کاربردی مایکروویو (WiMAX) در 2.6 گیگاهرتز, بحث میکند . PA کاملا یکپارچه شامل یک ترانسفورماتور متقارن ورودی , مرحله رانش,مرحله قدرت و دو ترانسفورماتور خروجی میباشد . تقویت کننده های مشترک مدخل ,به منظورکار کردن دو باند PA , دارای دستگاه روشن خاموش در مرحله قدرت میباشند و ترانسفورماتور در1.9 / 2.6 گیگاهرتز به کار گرفته میشود . PA در تکنولوژی0.18- میکرومتر ی CMOS طراحی و ساخته شده است و اندازه ی تراشه ی ان در تمام لایه ها در 1.5 × 1.85 mm2 میباشد . هنگامی که موج پیوسته ای از سیگنال ها هدایت می شود (CW) ,قدرت خروجی و راندمان به ترتیب به 28.1 / 27.4 DBM و 37.8 / 31.6٪ در 1.9 گیگاهرتز و 2.6 گیگاهرتز میباشد . متوسط قدرت خروجی سیستم هیبرید-EER بر اساس سیستم 21 TX برای WCDMA 3.84 مگاهرتز و 12 dBm برای 5 WiMAX مگاهرتز میباشد ,و همچنین باید گفت که برآورده خطی دقیق بوده و بدون استفاده از هر روش خطی دیگری است.
واژه های کلیدی: رده ی E | باند دوگانه | EER ترکیبی | قدرت تقویت کننده ی PA | مدولاتور | ترانسفورماتور | WCDMA | WiMAX
مقاله ترجمه شده
9 بررسی چگونگی نقایص فیزیکی در دستگاه های گرافینی بر پایه اتصال pn با قابلیت پیکربندی مجدد
سال انتشار: 2013 - تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 6 - تعداد صفحات فایل doc فارسی: 21
گرافین یکی از انتخاب های قابل دوام برای جایگزینی با سیلیکون در دستگاه های الکترونیکی نسل آینده است که جامعه تحقیقاتی را به سمت یافتن راه حل های جدید صنعتی میل می دهد تا بتوانند از خصوصیات ویژه آن بهره گیرند. در بین روش های پیشنهادی، روش ناخالص سازی الکترواستاتیک بیانگر یک انتخاب کلیدی و مهم است. این روش اجازه پیاده سازی اتصالات pn معادل را می دهد که از طریق آن این امکان وجود خواهد داشت تا یک رده از گیت های منطقی با قابلیت پیکربندی مجدد را بسازیم که همان دستگاه هایی هستند که در این تحقیق مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرند. کارهای تحقیقاتی اخیر یک تحلیل کمی در مورد این نوع گیت ها از لحاظ سطح، تأخیر و مصرف انرژی ارائه دادند که برتری آنها را نسبت به فناوری های CMOS زیر 22 نانومتر را تأیید می کرد. تحقیق حاضر، بعد دیگری را بررسی می کند و آن، قابلیت آزمایش است و نیز یک مطالعه در مورد نقایص فیزیکی ممکن پیشنهاد می دهد که ممکن است سودمندی گیت های منطقی گرافینی را تغییر دهد. رفتار الکتریکی دستگاه های معیوب، که از طریق شبیه سازی خرابی های فیزیکی در سطح SPICE بدست می آید، تجزیه و تحلیل شده و در سطح فشردگی بالا با استفاده از مدل های صحیح خرابی به تصویر درآمده است. اغلب این گونه مدل ها به دامنه CMOS تعلق دارند، اما برای برخی از رده های خاص نقایص، تعاریف جدید خرابی نیاز است.
مقاله ترجمه شده
10 طراحی تقویت کننده توزیع شده تک مرحله¬ای آبشاری میان گذر پهن باند در فن-آوری CMOS 0:13 mM برای کاربردهای UWB
سال انتشار: 2012 - تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 4 - تعداد صفحات فایل doc فارسی: 13
این مقاله یک تقویت کننده میان گذر پهن باند در فن¬آوری CMOS مبتنی بر تکنیک تقویت کننده توزیع شده تک مرحله¬ای آبشاری (CSSDA) را ارائه می¬کند. در این طراحی، ساختار فیلتر LC از CMOS CSSDA توسط خطوط ساختار فیلتر LC میان گذر جایگزین می¬شود. CSSDA دارای بهره تقریبا ثابت، پاسخ فاز خطی، و تلفات برگشتی در میان گذر است. نتایج شبیه¬سازی آشکارا نشان می-دهد که توپولوژی مدار ارائه شده را می¬توان بعنوان یک تقویت کننده میان گذر پهن باند برای کاربردهای UWB استفاده کرد.
مقاله ترجمه شده
موضوعات
footer