دانلود و نمایش مقالات مرتبط با MOSFETs::صفحه 1
دانلود بهترین مقالات isi همراه با ترجمه فارسی
نتیجه جستجو - MOSFETs

تعداد مقالات یافته شده: 1
ردیف عنوان نوع
1 مدلسازی برای شبیه سازی مدار در ترانزیستور های اثر میدانی به صورت نانولوله های کربنی و نانوربان های گرافنی
سال انتشار: 2015 - تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 5 - تعداد صفحات فایل doc فارسی: 16
در اين مقاله روشي براي تعيين معادلات مدل مدار از معادلات ويژه دستگاه هاي چند سري ارائه شده است. این روش برای به دست آوردن معادلات تمبر از نانولوله های کربنی و ترانزیستورهای اثر میدان گرافنی گرافن (FET ها) برای استفاده در شبیه سازهای مدار عمومی استفاده می شود. ما ابتدا روش های موجود مدلسازی فیزیکی را برای شبیه سازی مدار بررسی کرده و برخی از نقاط ضعف در این مدل ها را ذکر می کنیم. سپس توضیح می دهیم که چگونه معادلات مدل را بدون نیاز به حذف متغیرهای داخلی دستگاه و بدون نیاز به ساخت مدار معادل متشکل از اتصالات مقاومت دو ترمینال، منابع کنترل شده و خازن های دو ترمینال مستقیما از معادلات مشخصه فیزیکی دستگاه بیرون می آوریم .
کلمات کلیدی: FET های نانولوله کربن | تمبر معادله مدار | مدل های مدار | شبیه سازی مدار | تجزیه وتحلیل گره | گرافن FET های نانو روبان | MOSFETs | پتانسیل سطح
مقاله ترجمه شده
rss مقالات ترجمه شده rss مقالات انگلیسی rss کتاب های انگلیسی rss مقالات آموزشی