با سلام خدمت کاربران در صورتی که با خطای سیستم پرداخت بانکی مواجه شدید از طریق کارت به کارت (6037997535328901 بانک ملی ناصر خنجری ) مقاله خود را دریافت کنید (تا مشکل رفع گردد).
ردیف | عنوان | نوع |
---|---|---|
1 |
طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته ی مقاوم به تابش
سال انتشار: 2013 - تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 7 - تعداد صفحات فایل doc فارسی: 27 یک طرح (DGA n-MOSFET) ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی نوع – n با کمک گیت ساختگی به منظور نشان دادن اثربخشی آن در کاهش جریان¬های نشتی ناشی از تابش در یک n-MOSFET معمولی ارزیابی می¬شود. در طرح DGA n-MOSFET ارائه شده، جریان¬های نشتی ناشی از تابش با مجزاسازی منبع و درین از اکسیدهای پوشه¬ای با استفاده از یک لایه p + و گیت¬های ساختگی حل و فصل می¬شوند. علاوه بر این، انتظار بر این است که گیت¬های ساختگی و لایه¬های فلز-1 ساختگی به دام انداختن بار در اکسیدهای پوشه¬ای را جبرانسازی کنند. ساختار ذاتی DGA n-MOSFET معایب ترانزیستور طرح محصور را تکمیل می¬کند، که به منظور بهبود مشخصات تحمل تابش ارائه شده است. نتایج شبیه¬سازی از طرح DGA n-MOSFET نشان¬دهنده¬ی اثربخشی حذف چنین مسیرهای جریان نشت ناشی از تابش است. علاوه بر این نتایج تجربی به دست آمده از قرار گرفتن در معرض تابش با طرح DGA n-MOSFET ساخته شده نیز نشان¬دهنده¬ی عملکرد خوب با توجه به تحمل دوز یونیزه کلی است.
اصطلاحات شاخص: طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی | اصلاح طرح | سخت شدن تابش | جریان نشتی ناشی از تابش | دوز یونیزه کلی. |
مقاله ترجمه شده |